基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910532879.7

申请日：

2019-06-19

公开(公告)号：

CN110165028B

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

黄凯黄长峰高娜陈航洋康俊勇

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3340 H01L3342

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

张松亭;林燕玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190619
2019-08-23	公开	公开
2020-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro-LED及其制备方法 [P].

黄凯 ;

王丽兰 ;

李金钗 ;

高娜 ;

江莹 ;

康俊勇 ;

张荣 .

中国专利 :CN113471340A ,2021-10-01

[2]

金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法 [P].

刘宏伟 ;

于丹丹 ;

郭凯 ;

李晓云 ;

宁平凡 ;

张建新 ;

于莉媛 ;

牛萍娟 .

中国专利 :CN106960898A ,2017-07-18

[3]

基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法 [P].

高娜 ;

朱啟芬 ;

冯向 ;

黄凯 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110364584A ,2019-10-22

[4]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件及其制备方法 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN107507901A ,2017-12-22

[5]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[6]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN208000936U ,2018-10-23

[7]

一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器 [P].

高娜 ;

朱啟芬 ;

冯向 ;

黄凯 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN210245515U ,2020-04-03

[8]

利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法 [P].

陶涛 ;

智婷 ;

刘斌 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

陈敦军 ;

修向前 ;

赵红 ;

张荣 .

中国专利 :CN110311023A ,2019-10-08

[9]

一种表面等离激元晶体及其制备方法 [P].

王振林 ;

詹鹏 ;

董晗 ;

孙洁 ;

王慧田 ;

闵乃本 .

中国专利 :CN100465345C ,2006-09-06

[10]

基于表面等离激元增强的亚微米垂直深紫外LED及制备方法 [P].

袁佳磊 ;

王永进 .

中国专利 :CN111725372A ,2020-09-29

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