金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710225066.4

申请日：

2017-04-07

公开(公告)号：

CN106960898A

公开(公告)日：

2017-07-18

发明(设计)人：

刘宏伟于丹丹郭凯李晓云宁平凡张建新于莉媛牛萍娟

申请人：

申请人地址：

300387 天津市西青区宾水西道399号

IPC主分类号：

H01L3324

IPC分类号：

H01L3334 H01L3300

代理机构：

天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101

代理人：

蒙建军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101740565249 IPC(主分类):H01L 33/24 专利申请号:2017102250664 申请日:20170407
2019-03-22	授权	授权
2017-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[2]

基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法 [P].

黄凯 ;

黄长峰 ;

高娜 ;

陈航洋 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110165028B ,2019-08-23

[3]

一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro-LED及其制备方法 [P].

黄凯 ;

王丽兰 ;

李金钗 ;

高娜 ;

江莹 ;

康俊勇 ;

张荣 .

中国专利 :CN113471340A ,2021-10-01

[4]

一种基于局域表面等离激元与量子点中激子强耦合的光源 [P].

李东升 ;

周宁 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN105261932A ,2016-01-20

[5]

一种表面等离激元增强型LED [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN213936218U ,2021-08-10

[6]

表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325900A ,2013-09-25

[7]

基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法 [P].

高娜 ;

朱啟芬 ;

冯向 ;

黄凯 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110364584A ,2019-10-22

[8]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN208000936U ,2018-10-23

[9]

一种含Ag表面等离激元的硅基LED的制备方法及应用 [P].

陈家荣 ;

张羽 ;

任达森 .

中国专利 :CN107464861A ,2017-12-12

[10]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387B ,2024-04-02

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