表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310193912.0

申请日：

2013-05-22

公开(公告)号：

CN103325900A

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

于治国赵丽霞魏学成王军喜李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	授权	授权
2013-09-25	公开	公开
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101533532226 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013101939120 申请日:20130522

共 50 条

[1]

垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325901B ,2013-09-25

[2]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[3]

表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用 [P].

赵丽霞 ;

林杉 .

中国专利 :CN111769182A ,2020-10-13

[4]

一种表面等离激元增强AlGaN基LED及其制备方法 [P].

蒋科 ;

刘客汐 ;

黎大兵 ;

孙晓娟 ;

吕顺鹏 ;

张山丽 ;

贲建伟 ;

刘明睿 .

中国专利 :CN118156391A ,2024-06-07

[5]

金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法 [P].

刘宏伟 ;

于丹丹 ;

郭凯 ;

李晓云 ;

宁平凡 ;

张建新 ;

于莉媛 ;

牛萍娟 .

中国专利 :CN106960898A ,2017-07-18

[6]

表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法 [P].

张荣 ;

张国刚 ;

刘斌 ;

任芳芳 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

郭旭 ;

葛海雄 ;

修向前 ;

赵红 ;

陈敦军 ;

陆海 ;

韩平 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN106129204A ,2016-11-16

[7]

纳米多孔表面等离激元晶体及其制备方法 [P].

杜凯 ;

黄景林 ;

何小珊 ;

刘艳松 ;

何智兵 ;

王涛 ;

陈果 .

中国专利 :CN108004590A ,2018-05-08

[8]

表面等离激元纳米激光器及其制备方法 [P].

王健 ;

陈辰 ;

姜春宇 ;

吴东岷 ;

王逸群 ;

曾中明 .

中国专利 :CN119253403A ,2025-01-03

[9]

一种表面等离激元增强型LED [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN213936218U ,2021-08-10

[10]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387B ,2024-04-02

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