一种表面等离激元增强AlGaN基LED及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410475046.2

申请日：

2024-04-19

公开(公告)号：

CN118156391A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

蒋科刘客汐黎大兵孙晓娟吕顺鹏张山丽贲建伟刘明睿

申请人：

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L33/44

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/02 H01L33/00

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

张俊锋

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/44申请日:20240419

共 50 条

[1]

表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用 [P].

赵丽霞 ;

林杉 .

中国专利 :CN111769182A ,2020-10-13

[2]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[3]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387B ,2024-04-02

[4]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387A ,2021-04-16

[5]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

雷蕾 ;

朱子赫 .

中国专利 :CN117558850A ,2024-02-13

[6]

具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法 [P].

刘斌 ;

韩涛 ;

张荣 ;

陶涛 ;

谢自力 ;

周玉刚 ;

修向前 ;

陈鹏 ;

陈敦军 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN108615797B ,2018-10-02

[7]

一种表面等离激元增强型LED [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN213936218U ,2021-08-10

[8]

表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325900A ,2013-09-25

[9]

一种表面等离激元晶体及其制备方法 [P].

王振林 ;

詹鹏 ;

董晗 ;

孙洁 ;

王慧田 ;

闵乃本 .

中国专利 :CN100465345C ,2006-09-06

[10]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件及其制备方法 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN107507901A ,2017-12-22

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