表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010666521.6

申请日：

2020-07-10

公开(公告)号：

CN111769182A

公开(公告)日：

2020-10-13

发明(设计)人：

赵丽霞林杉

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3312 H01L3314 H01L3344 H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘歌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	授权	授权
2020-10-13	公开	公开
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20200710

共 50 条

[1]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[2]

一种表面等离激元增强AlGaN基LED及其制备方法 [P].

蒋科 ;

刘客汐 ;

黎大兵 ;

孙晓娟 ;

吕顺鹏 ;

张山丽 ;

贲建伟 ;

刘明睿 .

中国专利 :CN118156391A ,2024-06-07

[3]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

雷蕾 ;

朱子赫 .

中国专利 :CN117558850A ,2024-02-13

[4]

表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325900A ,2013-09-25

[5]

垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325901B ,2013-09-25

[6]

表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法 [P].

张荣 ;

张国刚 ;

刘斌 ;

任芳芳 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

郭旭 ;

葛海雄 ;

修向前 ;

赵红 ;

陈敦军 ;

陆海 ;

韩平 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN106129204A ,2016-11-16

[7]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

马后永 ;

琚晶 ;

李起鸣 ;

游正璋 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN105206714A ,2015-12-30

[8]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

琚晶 ;

马后永 ;

游正璋 ;

李起鸣 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN105336819A ,2016-02-17

[9]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

琚晶 ;

马后永 ;

游正璋 ;

李起鸣 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN105336821A ,2016-02-17

[10]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

琚晶 ;

马后永 ;

游正璋 ;

李起鸣 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN105140366B ,2015-12-09

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