利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910546744.6

申请日：

2019-06-24

公开(公告)号：

CN110311023A

公开(公告)日：

2019-10-08

发明(设计)人：

陶涛智婷刘斌谢自力陈鹏陈敦军修向前赵红张荣

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3304 H01L3300 B82Y4000

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-08	公开	公开
2021-09-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/20 申请公布日:20191008
2019-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20190624

共 50 条

[1]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件及其制备方法 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN107507901A ,2017-12-22

[2]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[3]

基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法 [P].

黄凯 ;

黄长峰 ;

高娜 ;

陈航洋 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110165028B ,2019-08-23

[4]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN208000936U ,2018-10-23

[5]

一种表面等离激元晶体及其制备方法 [P].

王振林 ;

詹鹏 ;

董晗 ;

孙洁 ;

王慧田 ;

闵乃本 .

中国专利 :CN100465345C ,2006-09-06

[6]

一种表面等离激元增强AlGaN基LED及其制备方法 [P].

蒋科 ;

刘客汐 ;

黎大兵 ;

孙晓娟 ;

吕顺鹏 ;

张山丽 ;

贲建伟 ;

刘明睿 .

中国专利 :CN118156391A ,2024-06-07

[7]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387B ,2024-04-02

[8]

金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法 [P].

刘宏伟 ;

于丹丹 ;

郭凯 ;

李晓云 ;

宁平凡 ;

张建新 ;

于莉媛 ;

牛萍娟 .

中国专利 :CN106960898A ,2017-07-18

[9]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387A ,2021-04-16

[10]

表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法 [P].

陈弘达 ;

王真真 ;

解意洋 ;

耿照新 .

中国专利 :CN103996767A ,2014-08-20

← 1 2 3 4 5 →