表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410164442.X

申请日：

2014-04-21

公开(公告)号：

CN103996767A

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

陈弘达王真真解意洋耿照新

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586962995 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:201410164442X 申请日:20140421
2014-08-20	公开	公开
2017-03-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749142933 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:201410164442X 申请公布日:20140820

共 50 条

[1]

等离激元增强型探测器及其制作方法 [P].

黄增立 ;

许蕾蕾 ;

葛啸天 ;

张珽 .

中国专利 :CN119230642A ,2024-12-31

[2]

一种表面等离激元增强型LED [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN213936218U ,2021-08-10

[3]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387B ,2024-04-02

[4]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387A ,2021-04-16

[5]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[6]

黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片及其制作方法 [P].

黄建 ;

雷仁方 ;

李睿智 ;

袁安波 ;

吴雪飞 ;

朱继鑫 .

中国专利 :CN112577612B ,2021-03-30

[7]

金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法 [P].

刘宏伟 ;

于丹丹 ;

郭凯 ;

李晓云 ;

宁平凡 ;

张建新 ;

于莉媛 ;

牛萍娟 .

中国专利 :CN106960898A ,2017-07-18

[8]

利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法 [P].

陶涛 ;

智婷 ;

刘斌 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

陈敦军 ;

修向前 ;

赵红 ;

张荣 .

中国专利 :CN110311023A ,2019-10-08

[9]

等离激元增强的硅基光热电效应光电转换器及其制作方法 [P].

管志强 ;

刘维康 ;

徐红星 .

中国专利 :CN109904253A ,2019-06-18

[10]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件及其制备方法 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN107507901A ,2017-12-22

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