基于表面等离激元增强的亚微米垂直深紫外LED及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010545825.7

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN111725372A

公开(公告)日：

2020-09-29

发明(设计)人：

袁佳磊王永进

申请人：

申请人地址：

210019 江苏省南京市建邺区嘉陵江东街8号B4幢4层三单元

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3300 H01L3306 H01L3320 B82Y4000

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

邓道花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20200616
2020-09-29	公开	公开
2022-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法 [P].

黄凯 ;

黄长峰 ;

高娜 ;

陈航洋 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110165028B ,2019-08-23

[2]

基于表面等离激元的深紫外超分辨干涉光刻方法 [P].

罗先刚 ;

孔维杰 ;

陈赵玺 ;

王盛丁 ;

范鹏程 ;

王长涛 ;

赵泽宇 .

中国专利 :CN119805882A ,2025-04-11

[3]

垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325901B ,2013-09-25

[4]

基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法 [P].

高娜 ;

朱啟芬 ;

冯向 ;

黄凯 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110364584A ,2019-10-22

[5]

亚微米垂直结构深紫外LED制备工艺以及其制成的深紫外LED [P].

王永进 .

中国专利 :CN111725361A ,2020-09-29

[6]

基于表面等离激元增强的高速光子集成芯片及制备方法 [P].

张国刚 ;

王永进 .

中国专利 :CN113363345B ,2021-09-07

[7]

表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325900A ,2013-09-25

[8]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

[9]

一种表面等离激元增强型LED [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN213936218U ,2021-08-10

[10]

一种表面等离激元增强型LED及其制备方法 [P].

李国强 ;

柴华卿 ;

姚书南 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112670387B ,2024-04-02

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