基于表面等离激元增强的高速光子集成芯片及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110603985.7

申请日：

2021-05-31

公开(公告)号：

CN113363345B

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

张国刚王永进

申请人：

申请人地址：

210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

IPC主分类号：

H01L31173

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

王素琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	授权	授权
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/173 申请日:20210531
2021-09-07	公开	公开

共 50 条

[1]

等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法 [P].

钟旭 ;

佘敏敏 ;

黄军伟 ;

宋赣祥 .

中国专利 :CN105406357A ,2016-03-16

[2]

光子集成芯片、应用光子集成芯片的激光雷达、探测方法 [P].

陈明华 ;

邓思涵 .

中国专利 :CN119395663B ,2025-09-26

[3]

光子集成芯片、应用光子集成芯片的激光雷达、探测方法 [P].

陈明华 ;

邓思涵 .

中国专利 :CN119395663A ,2025-02-07

[4]

一种表面等离激元编码单元及表面等离激元编码芯片 [P].

杜乐娜 ;

董建杰 ;

刘前 .

中国专利 :CN109473125A ,2019-03-15

[5]

基于表面等离激元增强的亚微米垂直深紫外LED及制备方法 [P].

袁佳磊 ;

王永进 .

中国专利 :CN111725372A ,2020-09-29

[6]

基于石墨烯表面等离激元的光电材料可调吸收增强层 [P].

张检发 ;

朱志宏 ;

袁晓东 ;

秦石乔 .

中国专利 :CN104851929A ,2015-08-19

[7]

一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法 [P].

金飚兵 ;

郏涛 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN103872155A ,2014-06-18

[8]

表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 [P].

于治国 ;

赵丽霞 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103325900A ,2013-09-25

[9]

基于人工表面等离激元的太赫兹波导 [P].

叶龙芳 ;

肖亦凡 ;

柳清伙 ;

张谅 ;

蔡国雄 ;

刘颜回 .

中国专利 :CN105789800A ,2016-07-20

[10]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

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