一种防止硅片过刻的刻蚀槽

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专利类型
实用新型
申请号
CN201821840789.1
申请日
2018-11-08
公开(公告)号
CN209056516U
公开(公告)日
2019-07-02
发明(设计)人
王涛 张元秋 张鹏 洪布双
申请人
申请人地址
610200 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L2167
代理机构
成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230
代理人
邹敏菲
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种防止硅片过刻的刻蚀槽 [P]. 
宁利军 .
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一种防止电池片过刻的硅片保护结构 [P]. 
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一种刻蚀槽 [P]. 
曹为龙 ;
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[4]
一种刻蚀槽 [P]. 
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