一种防止电池片过刻的硅片保护结构

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专利类型
实用新型
申请号
CN201220060002.6
申请日
2012-02-23
公开(公告)号
CN202473944U
公开(公告)日
2012-10-03
发明(设计)人
杨斌 李艳 何美玲
申请人
申请人地址
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
IPC主分类号
H01L310236
IPC分类号
代理机构
常州市维益专利事务所 32211
代理人
王凌霄
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
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