改质氢化聚硅氧氮烷、含有其的用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物、用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物的制备方法、以氧化硅为主的绝缘层、及以氧化硅为主的绝缘层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380049625.0

申请日：

2013-07-15

公开(公告)号：

CN104684968A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

宋炫知朴银秀林相学郭泽秀金古恩金美英金补宣金奉焕罗隆熙裵镇希徐珍雨尹熙灿李汉松田钟大韩权愚洪承希黄丙奎

申请人：

申请人地址：

韩国庆尙北道龟尾市

IPC主分类号：

C08G7738

IPC分类号：

C08G7726 C08L8308 H01B346

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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共 50 条

[1]

用于形成氧化硅类绝缘层的组成物、用于形成氧化硅类绝缘层的组成物的制备方法、氧化硅类绝缘层及氧化硅类绝缘层的制造方法 [P].

尹熙灿 ;

郭泽秀 ;

金美英 ;

林相学 ;

韩权愚 ;

金古恩 ;

金奉焕 ;

金相均 ;

罗隆熙 ;

朴银秀 ;

裵镇希 ;

宋炫知 ;

李汉松 ;

洪承希 .

中国专利 :CN104620326A ,2015-05-13

[2]

用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置 [P].

张俊英 ;

尹熙灿 ;

金佑翰 ;

卢健培 ;

李殷善 ;

郭泽秀 ;

金真教 ;

金哈尼 ;

罗隆熙 ;

裵镇希 ;

徐珍雨 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106409652B ,2017-02-15

[3]

用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法 [P].

林相学 ;

金奉焕 ;

吴正堈 ;

郭泽秀 ;

裵镇希 ;

尹熙灿 ;

韩东一 ;

金相均 ;

李真旭 .

中国专利 :CN102585516A ,2012-07-18

[4]

绝缘层蚀刻剂组合物和使用该绝缘层蚀刻剂组合物形成图案的方法 [P].

李恩姃 ;

崔汉永 ;

金炳默 ;

金泰熙 ;

金正桓 .

中国专利 :CN110157434A ,2019-08-23

[5]

一种深孔底部氧化硅绝缘层的刻蚀方法 [P].

于大全 ;

戴风伟 ;

徐成 ;

李昭强 .

中国专利 :CN103441097B ,2013-12-11

[6]

形成氧化硅层的方法 [P].

彭羽筠 .

中国专利 :CN109755173A ,2019-05-14

[7]

一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法 [P].

黄德伦 ;

朱伟丽 ;

李仕平 ;

夏宗法 ;

黄志鸿 .

中国专利 :CN114975485B ,2024-08-13

[8]

制造栅极绝缘层的方法 [P].

黄家琦 ;

许民庆 ;

罗易腾 ;

李原欣 .

中国专利 :CN104851790A ,2015-08-19

[9]

形成半导体设备的绝缘层的方法 [P].

金俊锡 .

中国专利 :CN101005022A ,2007-07-25

[10]

电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法 [P].

矢作公 .

中国专利 :CN104137236B ,2014-11-05

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-13	授权	授权
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615758485 IPC(主分类):C08G 77/38 专利申请号:2013800496250 申请日:20130715
2015-06-03	公开	公开