用于形成氧化硅类绝缘层的组成物、用于形成氧化硅类绝缘层的组成物的制备方法、氧化硅类绝缘层及氧化硅类绝缘层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380044747.0

申请日：

2013-08-16

公开(公告)号：

CN104620326A

公开(公告)日：

2015-05-13

发明(设计)人：

尹熙灿郭泽秀金美英林相学韩权愚金古恩金奉焕金相均罗隆熙朴银秀裵镇希宋炫知李汉松洪承希

申请人：

申请人地址：

韩国庆尙北道龟尾市龟尾大路58番地730-710

IPC主分类号：

H01B346

IPC分类号：

C08L8308

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨贝贝;臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101612424326 IPC(主分类):H01B 3/46 专利申请号:2013800447470 申请日:20130816
2015-05-13	公开	公开
2017-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

改质氢化聚硅氧氮烷、含有其的用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物、用于形成以氧化硅为主的绝缘层的组合物的制备方法、以氧化硅为主的绝缘层、及以氧化硅为主的绝缘层的制造方法 [P].

宋炫知 ;

朴银秀 ;

林相学 ;

郭泽秀 ;

金古恩 ;

金美英 ;

金补宣 ;

金奉焕 ;

罗隆熙 ;

裵镇希 ;

徐珍雨 ;

尹熙灿 ;

李汉松 ;

田钟大 ;

韩权愚 ;

洪承希 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN104684968A ,2015-06-03

[2]

用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置 [P].

任浣熙 ;

郭泽秀 ;

李汉松 ;

朴银秀 ;

姜善惠 ;

金补宣 ;

金相均 ;

朴玺美 ;

裵镇希 ;

徐珍雨 ;

张俊英 ;

赵娟振 ;

韩权愚 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN105713512B ,2016-06-29

[3]

用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置 [P].

张俊英 ;

尹熙灿 ;

金佑翰 ;

卢健培 ;

李殷善 ;

郭泽秀 ;

金真教 ;

金哈尼 ;

罗隆熙 ;

裵镇希 ;

徐珍雨 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106409652B ,2017-02-15

[4]

用于形成二氧化硅类层的组成物、二氧化硅类层及电子装置 [P].

张俊英 ;

郭泽秀 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裵镇希 ;

金补宣 ;

罗隆熙 ;

朴玺美 ;

李汉松 ;

任浣熙 .

中国专利 :CN105720041B ,2016-06-29

[5]

一种深孔底部氧化硅绝缘层的刻蚀方法 [P].

于大全 ;

戴风伟 ;

徐成 ;

李昭强 .

中国专利 :CN103441097B ,2013-12-11

[6]

用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法 [P].

林相学 ;

金奉焕 ;

吴正堈 ;

郭泽秀 ;

裵镇希 ;

尹熙灿 ;

韩东一 ;

金相均 ;

李真旭 .

中国专利 :CN102585516A ,2012-07-18

[7]

绝缘层形成方法 [P].

邓浩 ;

严琰 .

中国专利 :CN104103512B ,2014-10-15

[8]

一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法 [P].

黄德伦 ;

朱伟丽 ;

李仕平 ;

夏宗法 ;

黄志鸿 .

中国专利 :CN114975485B ,2024-08-13

[9]

形成氧化硅层的方法 [P].

彭羽筠 .

中国专利 :CN109755173A ,2019-05-14

[10]

半导体元件及绝缘层形成用组成物 [P].

永田裕三 ;

泷泽裕雄 ;

土村智孝 ;

鹤田拓也 .

中国专利 :CN106133886A ,2016-11-16

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