绝缘层形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310129648.4

申请日：

2013-04-15

公开(公告)号：

CN104103512B

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

邓浩严琰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588364427 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利申请号:2013101296484 申请日:20130415
2018-03-30	授权	授权
2014-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

绝缘层的形成方法、EEPROM及其形成方法 [P].

黄鹏 ;

施平 .

中国专利 :CN105990128A ,2016-10-05

[2]

层间绝缘层形成方法和半导体装置 [P].

宫谷光太郎 ;

根本刚直 ;

黑鸟讬也 ;

小林保男 ;

野泽俊久 .

中国专利 :CN103026473A ,2013-04-03

[3]

具有掩埋绝缘层的FinFET及其形成方法 [P].

江国诚 ;

陈冠霖 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN104576735A ,2015-04-29

[4]

绝缘层上半导体基板与其形成方法 [P].

郑有宏 ;

许咏恩 ;

陈龙 ;

吴政达 ;

杜友伦 ;

蔡维恭 ;

杨明哲 .

中国专利 :CN109817514A ,2019-05-28

[5]

层间绝缘层的制备方法 [P].

吴阳 ;

李雪华 ;

程刘锁 ;

曹启鹏 .

中国专利 :CN120299984A ,2025-07-11

[6]

沟槽式金属－绝缘层－金属电容结构与其形成方法 [P].

金平中 ;

方浩 ;

高荣正 ;

杨斌 .

中国专利 :CN1700408A ,2005-11-23

[7]

形成半导体器件中金属间绝缘层的方法 [P].

赵景洙 .

中国专利 :CN1141502A ,1997-01-29

[8]

形成半导体设备的绝缘层的方法 [P].

金俊锡 .

中国专利 :CN101005022A ,2007-07-25

[9]

用于形成氧化硅类绝缘层的组成物、用于形成氧化硅类绝缘层的组成物的制备方法、氧化硅类绝缘层及氧化硅类绝缘层的制造方法 [P].

尹熙灿 ;

郭泽秀 ;

金美英 ;

林相学 ;

韩权愚 ;

金古恩 ;

金奉焕 ;

金相均 ;

罗隆熙 ;

朴银秀 ;

裵镇希 ;

宋炫知 ;

李汉松 ;

洪承希 .

中国专利 :CN104620326A ,2015-05-13

[10]

硅通孔绝缘层制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN103943490A ,2014-07-23

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