层间绝缘层形成方法和半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180035567.7

申请日：

2011-07-20

公开(公告)号：

CN103026473A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

宫谷光太郎根本刚直黑鸟讬也小林保男野泽俊久

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

C23C16455 C23C16511 H01L2131 H01L21768

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724729043 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2011800355677 申请公布日:20130403
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448955568 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2011800355677 申请日:20110720

共 50 条

[1]

绝缘层形成方法 [P].

邓浩 ;

严琰 .

中国专利 :CN104103512B ,2014-10-15

[2]

半导体装置的层间绝缘膜的形成方法 [P].

金昶圭 ;

洪昌基 ;

郑佑仁 ;

安容彻 .

中国专利 :CN1073551A ,1993-06-23

[3]

绝缘层上半导体基板与其形成方法 [P].

郑有宏 ;

许咏恩 ;

陈龙 ;

吴政达 ;

杜友伦 ;

蔡维恭 ;

杨明哲 .

中国专利 :CN109817514A ,2019-05-28

[4]

形成半导体器件中金属间绝缘层的方法 [P].

赵景洙 .

中国专利 :CN1141502A ,1997-01-29

[5]

层间绝缘层的制备方法 [P].

吴阳 ;

李雪华 ;

程刘锁 ;

曹启鹏 .

中国专利 :CN120299984A ,2025-07-11

[6]

形成半导体设备的绝缘层的方法 [P].

金俊锡 .

中国专利 :CN101005022A ,2007-07-25

[7]

层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03

[8]

具有隔离绝缘层的半导体装置 [P].

金基玄 ;

权宁镐 .

中国专利 :CN113555371A ,2021-10-26

[9]

用于使用牺牲封盖和绝缘层形成半导体装置的方法 [P].

黄振华 ;

岳远征 ;

B·M·格林 ;

K·E·摩尔 ;

J·A·泰普利克 .

中国专利 :CN114335174A ,2022-04-12

[10]

半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构 [P].

杨明 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118231225A ,2024-06-21

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