层间绝缘层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510379658.6

申请日：

2025-03-28

公开(公告)号：

CN120299984A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

吴阳李雪华程刘锁曹启鹏

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H10D84/01

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

崔莹

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250328

共 50 条

[1]

层间绝缘层形成方法和半导体装置 [P].

宫谷光太郎 ;

根本刚直 ;

黑鸟讬也 ;

小林保男 ;

野泽俊久 .

中国专利 :CN103026473A ,2013-04-03

[2]

绝缘层形成方法 [P].

邓浩 ;

严琰 .

中国专利 :CN104103512B ,2014-10-15

[3]

制备层间绝缘层的工艺和其中使用的汽相淀积系统 [P].

五味秀树 .

中国专利 :CN1219764A ,1999-06-16

[4]

包含绝缘层的叠层的制造方法 [P].

克莉丝汀·劳伦特 ;

埃马纽埃尔·奥根德雷 .

法国专利 :CN120226139A ,2025-06-27

[5]

硅通孔绝缘层制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN103943490A ,2014-07-23

[6]

制造栅极绝缘层的方法 [P].

黄家琦 ;

许民庆 ;

罗易腾 ;

李原欣 .

中国专利 :CN104851790A ,2015-08-19

[7]

用于形成氧化硅类绝缘层的组成物、用于形成氧化硅类绝缘层的组成物的制备方法、氧化硅类绝缘层及氧化硅类绝缘层的制造方法 [P].

尹熙灿 ;

郭泽秀 ;

金美英 ;

林相学 ;

韩权愚 ;

金古恩 ;

金奉焕 ;

金相均 ;

罗隆熙 ;

朴银秀 ;

裵镇希 ;

宋炫知 ;

李汉松 ;

洪承希 .

中国专利 :CN104620326A ,2015-05-13

[8]

具有精细隐埋绝缘层的SOI衬底 [P].

迪迪埃·朗德吕 ;

塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 .

中国专利 :CN101419911A ,2009-04-29

[9]

形成半导体器件中金属间绝缘层的方法 [P].

赵景洙 .

中国专利 :CN1141502A ,1997-01-29

[10]

金属前绝缘层的填充方法 [P].

张文广 ;

刘明源 .

中国专利 :CN100499065C ,2008-02-13

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