制备层间绝缘层的工艺和其中使用的汽相淀积系统

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专利类型
发明
申请号
CN98124791.1
申请日
1998-11-18
公开(公告)号
CN1219764A
公开(公告)日
1999-06-16
发明(设计)人
五味秀树
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2160
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏
法律状态
实质审查请求的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
在化学汽相淀积工艺中使用的改进的基座 [P]. 
R·W·斯坦德利 ;
C·C·扬 .
中国专利 :CN1223709C ,2003-08-06
[2]
层间绝缘层的制备方法 [P]. 
吴阳 ;
李雪华 ;
程刘锁 ;
曹启鹏 .
中国专利 :CN120299984A ,2025-07-11
[3]
化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层 [P]. 
大卫·B·彼迟 .
中国专利 :CN1117389C ,2000-06-07
[4]
具有汽相淀积处理层和粘合促进层的金属体 [P]. 
姜旭高 ;
M·K·普罗科普 ;
T·卡尔诺基-凯思 .
中国专利 :CN1112877A ,1995-12-06
[5]
低电介绝缘层的汽相淀积方法、利用该低电介绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
梁成勋 ;
洪完植 ;
郑宽旭 .
中国专利 :CN1646726A ,2005-07-27
[6]
半导体装置的具有低介电常数的绝缘层的淀积方法 [P]. 
梁成勋 ;
格伦·塞尔尼A ;
丁奎夏 ;
黄秉槿 ;
洪完植 .
中国专利 :CN1319125C ,2005-06-08
[7]
化学汽相淀积生成TiN阻挡层的方法 [P]. 
徐小诚 ;
缪炳有 .
中国专利 :CN1222014C ,2003-04-30
[8]
一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法 [P]. 
王惠娟 ;
潘杰 .
中国专利 :CN104037105A ,2014-09-10
[9]
利用原子层淀积工艺形成导电层的方法 [P]. 
姜尚范 ;
蔡允淑 ;
朴昌洙 ;
李相忍 .
中国专利 :CN1221979A ,1999-07-07
[10]
用于汽相淀积系统的衬底托架 [P]. 
理查德·I.·塞登 .
中国专利 :CN1737191A ,2006-02-22