具有汽相淀积处理层和粘合促进层的金属体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95104712.4

申请日：

1995-04-21

公开(公告)号：

CN1112877A

公开(公告)日：

1995-12-06

发明(设计)人：

姜旭高 M·K·普罗科普 T·卡尔诺基-凯思

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄

IPC主分类号：

B32B1508

IPC分类号：

H05K109

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

陈季壮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-12-06	公开	公开
2011-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101081688137 IPC(主分类):B32B 15/08 专利号:ZL951047124 申请日:19950421 授权公告日:20020724 终止日期:20100421
1997-07-30	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2002-07-24	授权	授权
2007-11-21	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:古尔德电子有限公司变更后权利人:美商日光材料美国公司变更事项:地址变更前权利人:美国俄亥俄变更后权利人:美国亚利桑那州登记生效日:20071012

共 50 条

[1]

汽相淀积源和汽相淀积装置 [P].

吉川俊明 ;

真下精二 ;

福田直人 .

中国专利 :CN101041891B ,2007-09-26

[2]

化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法 [P].

酒井士郎 ;

北原宏一 ;

高松勇吉 ;

森勇次 .

中国专利 :CN1316546A ,2001-10-10

[3]

化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法 [P].

酒井士郎 ;

高松勇吉 ;

森勇次 ;

王宏兴 ;

小宫由直 ;

吴羽羚儿 ;

石滨义康 ;

纲岛丰 .

中国专利 :CN1392595A ,2003-01-22

[4]

化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层 [P].

大卫·B·彼迟 .

中国专利 :CN1117389C ,2000-06-07

[5]

化学汽相淀积生成TiN阻挡层的方法 [P].

徐小诚 ;

缪炳有 .

中国专利 :CN1222014C ,2003-04-30

[6]

物理汽相淀积靶结构以及处理物理汽相淀积靶的方法 [P].

J·比勒 .

中国专利 :CN1582343A ,2005-02-16

[7]

制备层间绝缘层的工艺和其中使用的汽相淀积系统 [P].

五味秀树 .

中国专利 :CN1219764A ,1999-06-16

[8]

覆金属积层体以及覆金属积层体的制造方法 [P].

田原修二 ;

李贤一 .

日本专利 :CN119550631A ,2025-03-04

[9]

淀积碳的微波增强化学汽相淀积(CVD)方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN88101061A ,1988-09-07

[10]

用于汽相淀积系统的衬底托架 [P].

理查德·I.·塞登 .

中国专利 :CN1737191A ,2006-02-22

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