化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法

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专利类型
发明
申请号
CN01111233.6
申请日
2001-03-08
公开(公告)号
CN1316546A
公开(公告)日
2001-10-10
发明(设计)人
酒井士郎 北原宏一 高松勇吉 森勇次
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C23C1646
IPC分类号
H01L21205 H01L21365
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
刘志平
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法 [P]. 
酒井士郎 ;
高松勇吉 ;
森勇次 ;
王宏兴 ;
小宫由直 ;
吴羽羚儿 ;
石滨义康 ;
纲岛丰 .
中国专利 :CN1392595A ,2003-01-22
[2]
化学汽相淀积装置 [P]. 
高山徹 ;
犬岛 ;
尾高政一 ;
林茂则 ;
広濑直樹 .
中国专利 :CN87106283A ,1988-03-23
[3]
汽相淀积源和汽相淀积装置 [P]. 
吉川俊明 ;
真下精二 ;
福田直人 .
中国专利 :CN101041891B ,2007-09-26
[4]
垂直化学汽相淀积装置 [P]. 
陈聪茂 .
中国专利 :CN201501927U ,2010-06-09
[5]
化学汽相淀积装置的净化方法 [P]. 
长谷川博之 ;
山冈智则 ;
石原良夫 ;
增崎宏 ;
佐藤贵之 ;
铃木克昌 ;
德永裕树 .
中国专利 :CN1497061A ,2004-05-19
[6]
大气压化学汽相淀积 [P]. 
N·W·约翰斯顿 ;
K·R·科尔曼约斯 ;
N·A·赖特 .
中国专利 :CN101432458A ,2009-05-13
[7]
淀积碳的微波增强化学汽相淀积(CVD)方法 [P]. 
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中国专利 :CN88101061A ,1988-09-07
[8]
微波等离子化学汽相淀积装置 [P]. 
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[9]
化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层 [P]. 
大卫·B·彼迟 .
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[10]
化学汽相淀积涂层切削刀片及其制造方法 [P]. 
R.库珀 ;
P.莱克特 ;
Y.刘 ;
Z.刘 .
中国专利 :CN106065448A ,2016-11-02