硅通孔绝缘层制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410192894.9

申请日：

2014-05-08

公开(公告)号：

CN103943490A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

雷通桑宁波

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

王宏婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	公开	公开
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584556938 IPC(主分类):H01L 21/31 专利申请号:2014101928949 申请日:20140508
2017-01-18	授权	授权

共 50 条

[1]

具绝缘层的通孔结构 [P].

璩泽明 .

中国专利 :CN201655788U ,2010-11-24

[2]

绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN107154347B ,2017-09-12

[3]

绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107154379A ,2017-09-12

[4]

绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN107154378A ,2017-09-12

[5]

层间绝缘层的制备方法 [P].

吴阳 ;

李雪华 ;

程刘锁 ;

曹启鹏 .

中国专利 :CN120299984A ,2025-07-11

[6]

绝缘层形成方法 [P].

邓浩 ;

严琰 .

中国专利 :CN104103512B ,2014-10-15

[7]

硅通孔结构的制备方法 [P].

陈怡骏 ;

游宽结 ;

张彰 .

中国专利 :CN106505030B ,2017-03-15

[8]

硅通孔结构及其制备方法 [P].

胡超 .

中国专利 :CN117374031A ,2024-01-09

[9]

制造栅极绝缘层的方法 [P].

黄家琦 ;

许民庆 ;

罗易腾 ;

李原欣 .

中国专利 :CN104851790A ,2015-08-19

[10]

硅通孔结构及其制造方法 [P].

卢意飞 .

中国专利 :CN102623437B ,2012-08-01

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