具绝缘层的通孔结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020301621.0

申请日：

2010-01-27

公开(公告)号：

CN201655788U

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

璩泽明

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县芦竹乡南山路三段17巷11号6楼

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L2352 H01L2312

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113

代理人：

何为

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-25	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20100127 授权公告日:20101124
2011-11-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101206305932 IPC(主分类):H01L 23/48 专利号:ZL2010203016210 变更事项:专利权人变更前权利人:茂邦电子有限公司变更后权利人:讯忆科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾桃园县芦竹乡南山路三段17巷11号6楼变更后权利人:中国台湾桃园县登记生效日:20110922
2010-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

硅通孔绝缘层制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN103943490A ,2014-07-23

[2]

具多厚度绝缘层上半导体的结构 [P].

杨富量 ;

陈豪育 ;

杨育佳 ;

卡罗司 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2726110Y ,2005-09-14

[3]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2796103Y ,2006-07-12

[4]

金属-绝缘层-金属结构 [P].

杨世海 ;

黄彦杰 ;

游佳达 .

中国专利 :CN112242376A ,2021-01-19

[5]

层间绝缘层的制备方法 [P].

吴阳 ;

李雪华 ;

程刘锁 ;

曹启鹏 .

中国专利 :CN120299984A ,2025-07-11

[6]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1531066A ,2004-09-22

[7]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038150Y ,2008-03-19

[8]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038149Y ,2008-03-19

[9]

制造栅极绝缘层的方法 [P].

黄家琦 ;

许民庆 ;

罗易腾 ;

李原欣 .

中国专利 :CN104851790A ,2015-08-19

[10]

包含绝缘层的叠层的制造方法 [P].

克莉丝汀·劳伦特 ;

埃马纽埃尔·奥根德雷 .

法国专利 :CN120226139A ,2025-06-27

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