具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420084372.9

申请日：

2004-08-11

公开(公告)号：

CN2796103Y

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

杨育佳胡正明

申请人：

申请人地址：

中国台湾

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184 H01L21762 H01L2131

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

王燕秋

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-12	授权	授权
2014-09-10	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101586882594 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2004200843729 申请日:20040811 授权公告日:20060712 期满终止日期:20140811

共 50 条

[1]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1531066A ,2004-09-22

[2]

绝缘层上有半导体的晶片 [P].

杨育佳 ;

王屏薇 ;

陈豪育 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2726117Y ,2005-09-14

[3]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038150Y ,2008-03-19

[4]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038149Y ,2008-03-19

[5]

具有绝缘层的半导体封装体 [P].

松浦政光 ;

小松大贵 ;

青屋建吾 ;

严廷达 .

美国专利 :CN119742284A ,2025-04-01

[6]

具有隔离绝缘层的半导体装置 [P].

金基玄 ;

权宁镐 .

中国专利 :CN113555371A ,2021-10-26

[7]

具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构 [P].

杨育佳 ;

陈豪育 ;

曹训志 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2731719Y ,2005-10-05

[8]

应变半导体覆绝缘层型基底 [P].

杨育佳 ;

李文钦 .

中国专利 :CN2720639Y ,2005-08-24

[9]

形成半导体设备的绝缘层的方法 [P].

金俊锡 .

中国专利 :CN101005022A ,2007-07-25

[10]

具有顶侧绝缘层的半导体封装 [P].

F.布鲁奇 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

W.佩因霍普夫 ;

J.施雷德尔 .

中国专利 :CN104051362B ,2014-09-17

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