具有绝缘层的半导体封装体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411509205.2

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119742284A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

松浦政光小松大贵青屋建吾严廷达

申请人：

德州仪器公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/48 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/768 H01L21/60

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

公开

国省代码：

山东省德州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038150Y ,2008-03-19

[2]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038149Y ,2008-03-19

[3]

具有顶侧绝缘层的半导体封装 [P].

F.布鲁奇 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

W.佩因霍普夫 ;

J.施雷德尔 .

中国专利 :CN104051362B ,2014-09-17

[4]

包括具有外绝缘层的基板的半导体封装 [P].

金应叫 ;

金钟润 ;

全光宰 .

中国专利 :CN114171510A ,2022-03-11

[5]

用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用其的半导体封装用绝缘层 [P].

郑珉寿 ;

庆有真 ;

崔炳柱 ;

郑遇载 ;

李光珠 ;

赵安部 .

中国专利 :CN111406312A ,2020-07-10

[6]

具有隔离绝缘层的半导体装置 [P].

金基玄 ;

权宁镐 .

中国专利 :CN113555371A ,2021-10-26

[7]

半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法 [P].

S.金努萨米 ;

K.辛普森 ;

M.C.科斯特罗 .

中国专利 :CN110112108A ,2019-08-09

[8]

半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法 [P].

S.金努萨米 ;

K.辛普森 ;

M.C.科斯特罗 .

中国专利 :CN107134438B ,2017-09-05

[9]

具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法 [P].

迪尔克·丹茨 ;

安德烈亚斯·许贝尔 ;

布里安·墨非 ;

赖因霍尔德·沃里克 .

中国专利 :CN1825549A ,2006-08-30

[10]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2796103Y ,2006-07-12

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