具有顶侧绝缘层的半导体封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410094202.7

申请日：

2014-03-14

公开(公告)号：

CN104051362B

公开(公告)日：

2014-09-17

发明(设计)人：

F.布鲁奇 J.赫格劳尔 R.奥特伦巴 W.佩因霍普夫 J.施雷德尔

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张涛;胡莉莉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	授权	授权
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587560718 IPC(主分类):H01L 23/31 专利申请号:2014100942027 申请日:20140314
2014-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

具有绝缘层的半导体封装体 [P].

松浦政光 ;

小松大贵 ;

青屋建吾 ;

严廷达 .

美国专利 :CN119742284A ,2025-04-01

[2]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038150Y ,2008-03-19

[3]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038149Y ,2008-03-19

[4]

包括具有外绝缘层的基板的半导体封装 [P].

金应叫 ;

金钟润 ;

全光宰 .

中国专利 :CN114171510A ,2022-03-11

[5]

用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用其的半导体封装用绝缘层 [P].

郑珉寿 ;

庆有真 ;

崔炳柱 ;

郑遇载 ;

李光珠 ;

赵安部 .

中国专利 :CN111406312A ,2020-07-10

[6]

具有隔离绝缘层的半导体装置 [P].

金基玄 ;

权宁镐 .

中国专利 :CN113555371A ,2021-10-26

[7]

具有顶侧或底侧冷却的半导体封装 [P].

S·马海因尔 .

中国专利 :CN112635411A ,2021-04-09

[8]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2796103Y ,2006-07-12

[9]

用于形成半导体封装基板的绝缘层的树脂片 [P].

永山晶子 ;

中村洋介 ;

川合贤司 .

日本专利 :CN120518977A ,2025-08-22

[10]

具有半导体管芯层的半导体封装 [P].

F·王 ;

徐辉 ;

孙腾 ;

刘刚 ;

T·C·安 .

美国专利 :CN121149096A ,2025-12-16

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