具有顶侧或底侧冷却的半导体封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011006320.X

申请日：

2020-09-23

公开(公告)号：

CN112635411A

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

S·马海因尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23495 H01L2148 H01L2156

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20200923
2021-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

具有双侧冷却的模制半导体封装 [P].

张超发 ;

李瑞家 ;

J·梅尔茨 ;

T·施特克 ;

陈志文 .

中国专利 :CN112242307A ,2021-01-19

[2]

具有顶侧散热件和底侧扁平引线的半导体封装件设计 [P].

W·T·齐 ;

H·阮 ;

S·尤鲁克 ;

A·辛格 ;

M·奥兹贝克 .

美国专利 :CN120826783A ,2025-10-21

[3]

具有顶侧绝缘层的半导体封装 [P].

F.布鲁奇 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

W.佩因霍普夫 ;

J.施雷德尔 .

中国专利 :CN104051362B ,2014-09-17

[4]

具有用于顶侧冷却的多级传导夹的半导体封装 [P].

方炽胜 ;

邱威翰 ;

I·尼基廷 ;

戴秋莉 .

中国专利 :CN111883490A ,2020-11-03

[5]

具有双侧冷却和一侧液体冷却的功率半导体封装 [P].

K·M·格蒂瑟 ;

C·弗鲁斯 .

美国专利 :CN119895566A ,2025-04-25

[6]

具有顶侧冷却部的SMD封装 [P].

R·奥特伦巴 ;

M·丁克尔 ;

U·弗雷勒 ;

J·霍格劳尔 ;

U·基希纳 ;

G·洛曼 ;

K·席斯 ;

X·施勒格尔 .

中国专利 :CN109473410A ,2019-03-15

[7]

具有顶侧冷却部的SMD封装 [P].

R·奥特伦巴 ;

A·A·胡德 ;

T·S·李 ;

X·施勒格尔 ;

B·施默尔泽 .

中国专利 :CN109473415A ,2019-03-15

[8]

多封装顶侧冷却 [P].

R·奥特伦巴 ;

U·基希纳 ;

M-A·库查克 ;

K·席斯 ;

B·施默尔泽 .

中国专利 :CN110364499A ,2019-10-22

[9]

通过膜辅助模制制造顶侧冷却半导体封装体的方法和半导体封装体 [P].

黄志洋 ;

蔡国耀 ;

N·奥斯曼 ;

M·莫斯托菲扎德 ;

J·V·苏赛普拉卡萨姆 .

德国专利 :CN119480648A ,2025-02-18

[10]

具有双侧金属布线的半导体封装件 [P].

郑心圃 ;

陈硕懋 ;

刘献文 ;

庄博尧 ;

许峯诚 ;

林柏尧 .

中国专利 :CN109216219B ,2019-01-15

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