具有顶侧冷却部的SMD封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811049585.0

申请日：

2018-09-10

公开(公告)号：

CN109473410A

公开(公告)日：

2019-03-15

发明(设计)人：

R·奥特伦巴 M·丁克尔 U·弗雷勒 J·霍格劳尔 U·基希纳 G·洛曼 K·席斯 X·施勒格尔

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L2156 H01L23495

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

林金朝;王英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-15	公开	公开
2020-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20180910

共 50 条

[1]

具有顶侧冷却部的SMD封装 [P].

R·奥特伦巴 ;

A·A·胡德 ;

T·S·李 ;

X·施勒格尔 ;

B·施默尔泽 .

中国专利 :CN109473415A ,2019-03-15

[2]

多封装顶侧冷却 [P].

R·奥特伦巴 ;

U·基希纳 ;

M-A·库查克 ;

K·席斯 ;

B·施默尔泽 .

中国专利 :CN110364499A ,2019-10-22

[3]

具有顶侧或底侧冷却的半导体封装 [P].

S·马海因尔 .

中国专利 :CN112635411A ,2021-04-09

[4]

具有双侧冷却的模制半导体封装 [P].

张超发 ;

李瑞家 ;

J·梅尔茨 ;

T·施特克 ;

陈志文 .

中国专利 :CN112242307A ,2021-01-19

[5]

具有用于顶侧冷却的多级传导夹的半导体封装 [P].

方炽胜 ;

邱威翰 ;

I·尼基廷 ;

戴秋莉 .

中国专利 :CN111883490A ,2020-11-03

[6]

具有双侧冷却的功率模块封装 [P].

涩谷诚 .

中国专利 :CN107123624A ,2017-09-01

[7]

具有顶侧绝缘层的半导体封装 [P].

F.布鲁奇 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

W.佩因霍普夫 ;

J.施雷德尔 .

中国专利 :CN104051362B ,2014-09-17

[8]

具有双侧冷却和一侧液体冷却的功率半导体封装 [P].

K·M·格蒂瑟 ;

C·弗鲁斯 .

美国专利 :CN119895566A ,2025-04-25

[9]

基于具有双面散热的顶侧冷却表面安装分立装置的电源块 [P].

朱可 .

美国专利 :CN117440651A ,2024-01-23

[10]

SMD封装支架及采用该SMD封装支架的LED封装体 [P].

孙智江 ;

何琛楠 ;

王书昶 ;

黎嘉烨 ;

吴陆 ;

宋健 .

中国专利 :CN212750921U ,2021-03-19

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