多封装顶侧冷却

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910232330.6

申请日：

2019-03-26

公开(公告)号：

CN110364499A

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

R·奥特伦巴 U·基希纳 M-A·库查克 K·席斯 B·施默尔泽

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2340

IPC分类号：

H01L23433 H01L23495 H01L2511

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊;王英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	公开	公开
2019-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/40 申请日:20190326

共 50 条

[1]

具有顶侧冷却部的SMD封装 [P].

R·奥特伦巴 ;

M·丁克尔 ;

U·弗雷勒 ;

J·霍格劳尔 ;

U·基希纳 ;

G·洛曼 ;

K·席斯 ;

X·施勒格尔 .

中国专利 :CN109473410A ,2019-03-15

[2]

具有顶侧冷却部的SMD封装 [P].

R·奥特伦巴 ;

A·A·胡德 ;

T·S·李 ;

X·施勒格尔 ;

B·施默尔泽 .

中国专利 :CN109473415A ,2019-03-15

[3]

具有顶侧或底侧冷却的半导体封装 [P].

S·马海因尔 .

中国专利 :CN112635411A ,2021-04-09

[4]

具有双侧冷却的模制半导体封装 [P].

张超发 ;

李瑞家 ;

J·梅尔茨 ;

T·施特克 ;

陈志文 .

中国专利 :CN112242307A ,2021-01-19

[5]

均匀的多封装天线阵列 [P].

安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯 ;

简·威廉·伯格曼 ;

马尔切利尼斯·约翰内斯·玛里亚·吉尔兹 ;

慕斯塔法·阿卡 ;

保罗·马泰森 ;

拉杰什·曼丹帕兰比尔 ;

安德瑞-亚历山大·戴米安 ;

阿马尔·阿肖克·马维库夫 .

中国专利 :CN114944546A ,2022-08-26

[6]

具有用于顶侧冷却的多级传导夹的半导体封装 [P].

方炽胜 ;

邱威翰 ;

I·尼基廷 ;

戴秋莉 .

中国专利 :CN111883490A ,2020-11-03

[7]

具有双侧冷却的功率模块封装 [P].

涩谷诚 .

中国专利 :CN107123624A ,2017-09-01

[8]

通过膜辅助模制制造顶侧冷却半导体封装体的方法和半导体封装体 [P].

黄志洋 ;

蔡国耀 ;

N·奥斯曼 ;

M·莫斯托菲扎德 ;

J·V·苏赛普拉卡萨姆 .

德国专利 :CN119480648A ,2025-02-18

[9]

多封装系统及用于封装在半导体封装中的裸晶 [P].

朱峻源 ;

骆彦彬 ;

徐哲祥 .

中国专利 :CN113541704B ,2021-10-22

[10]

具有双侧冷却和一侧液体冷却的功率半导体封装 [P].

K·M·格蒂瑟 ;

C·弗鲁斯 .

美国专利 :CN119895566A ,2025-04-25

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