具有复合绝缘层的半导体封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200720143103.9

申请日：

2007-04-06

公开(公告)号：

CN201038150Y

公开(公告)日：

2008-03-19

发明(设计)人：

范家铭洪振智徐进寿

申请人：

申请人地址：

中国台湾

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

代理人：

王月玲;武玉琴

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101722427659 IPC(主分类):H01L 23/488 专利号:ZL2007201431039 申请日:20070406 授权公告日:20080319 终止日期:无
2008-03-19	授权	授权

共 50 条

[1]

具有复合绝缘层的半导体封装结构 [P].

范家铭 ;

洪振智 ;

徐进寿 .

中国专利 :CN201038149Y ,2008-03-19

[2]

具有绝缘层的半导体封装体 [P].

松浦政光 ;

小松大贵 ;

青屋建吾 ;

严廷达 .

美国专利 :CN119742284A ,2025-04-01

[3]

具有顶侧绝缘层的半导体封装 [P].

F.布鲁奇 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

W.佩因霍普夫 ;

J.施雷德尔 .

中国专利 :CN104051362B ,2014-09-17

[4]

包括具有外绝缘层的基板的半导体封装 [P].

金应叫 ;

金钟润 ;

全光宰 .

中国专利 :CN114171510A ,2022-03-11

[5]

用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用其的半导体封装用绝缘层 [P].

郑珉寿 ;

庆有真 ;

崔炳柱 ;

郑遇载 ;

李光珠 ;

赵安部 .

中国专利 :CN111406312A ,2020-07-10

[6]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2796103Y ,2006-07-12

[7]

半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构 [P].

李明东 ;

连士进 ;

林孝章 ;

曾钦义 ;

吴国豪 ;

吴锡垣 .

中国专利 :CN104078443A ,2014-10-01

[8]

具有隔离绝缘层的半导体装置 [P].

金基玄 ;

权宁镐 .

中国专利 :CN113555371A ,2021-10-26

[9]

具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构 [P].

杨育佳 ;

陈豪育 ;

曹训志 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2731719Y ,2005-10-05

[10]

用于形成半导体封装基板的绝缘层的树脂片 [P].

永山晶子 ;

中村洋介 ;

川合贤司 .

日本专利 :CN120518977A ,2025-08-22

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