包含绝缘层的叠层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380080065.9

申请日：

2023-11-20

公开(公告)号：

CN120226139A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

克莉丝汀·劳伦特埃马纽埃尔·奥根德雷

申请人：

法国原子能源和替代能源委员会

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/20

代理机构：

北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400

代理人：

侯晓艳;方挺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20231120

共 50 条

[1]

制造栅极绝缘层的方法 [P].

黄家琦 ;

许民庆 ;

罗易腾 ;

李原欣 .

中国专利 :CN104851790A ,2015-08-19

[2]

层间绝缘层的制备方法 [P].

吴阳 ;

李雪华 ;

程刘锁 ;

曹启鹏 .

中国专利 :CN120299984A ,2025-07-11

[3]

带抗反射层的绝缘层的制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1161571A ,1997-10-08

[4]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1531066A ,2004-09-22

[5]

半导体元件及绝缘层的制造方法 [P].

程仲良 ;

毕诗伟 ;

陈彦羽 .

中国专利 :CN109427735B ,2019-03-05

[6]

用于形成氧化硅类绝缘层的组成物、用于形成氧化硅类绝缘层的组成物的制备方法、氧化硅类绝缘层及氧化硅类绝缘层的制造方法 [P].

尹熙灿 ;

郭泽秀 ;

金美英 ;

林相学 ;

韩权愚 ;

金古恩 ;

金奉焕 ;

金相均 ;

罗隆熙 ;

朴银秀 ;

裵镇希 ;

宋炫知 ;

李汉松 ;

洪承希 .

中国专利 :CN104620326A ,2015-05-13

[7]

具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2796103Y ,2006-07-12

[8]

绝缘层上的半导体结构及其制造方法 [P].

张挺 .

中国专利 :CN102543834A ,2012-07-04

[9]

用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用其的半导体封装用绝缘层 [P].

郑珉寿 ;

庆有真 ;

崔炳柱 ;

郑遇载 ;

李光珠 ;

赵安部 .

中国专利 :CN111406312A ,2020-07-10

[10]

叠层膜的制造方法、叠层膜以及使用该叠层膜的半导体装置的制造方法 [P].

林下英司 .

中国专利 :CN105073931A ,2015-11-18

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