半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410068382.8

申请日：

2004-08-31

公开(公告)号：

CN1591867A

公开(公告)日：

2005-03-09

发明(设计)人：

福井司石田薰

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2352 H01L2900

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101532928193 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL2004100683828 申请日:20040831 授权公告日:20070418 终止日期:20120831
2007-04-18	授权	授权
2005-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[2]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[3]

半导体器件 [P].

小松茂行 .

中国专利 :CN100589244C ,2008-12-17

[4]

半导体器件 [P].

古川泰至 ;

藤田裕人 ;

山岸哲人 ;

秋叶敦也 .

中国专利 :CN115621239A ,2023-01-17

[5]

半导体器件 [P].

河野宪司 ;

天野伸治 .

中国专利 :CN103959473A ,2014-07-30

[6]

半导体器件 [P].

原田峻丞 ;

中野敬志 ;

奥野卓也 .

中国专利 :CN103811492A ,2014-05-21

[7]

半导体器件 [P].

征矢野伸 .

中国专利 :CN102576706A ,2012-07-11

[8]

半导体器件 [P].

西村隆雄 ;

熊谷欣一 ;

高岛晃 ;

中村公一 ;

合叶和之 .

中国专利 :CN1893051A ,2007-01-10

[9]

半导体器件 [P].

山中未来 ;

平冈幸生 ;

石川修 .

中国专利 :CN100593856C ,2007-03-07

[10]

半导体器件 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101295731A ,2008-10-29

← 1 2 3 4 5 →