III-V族半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180015070.9

申请日：

2011-03-23

公开(公告)号：

CN102822944B

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

埃德·林多尚塔尔·艾尔纳 R·贝尔特拉姆兰詹·达塔苏巴实·马哈詹

申请人：

申请人地址：

法国伯尔宁

IPC主分类号：

H01L21203

IPC分类号：

H01L21205 H01L2102

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

吕俊刚;张旭东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101406552973 IPC(主分类):H01L 21/203 专利申请号:2011800150709 申请日:20110323
2016-01-06	授权	授权
2012-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

III-V族半导体直流变压器及其形成方法 [P].

郭磊 ;

赵东晶 .

中国专利 :CN103378184A ,2013-10-30

[2]

具有减少的凹坑缺陷的III-V半导体结构及其形成方法 [P].

C·菲盖 ;

E·林多 ;

P·托马西尼 .

中国专利 :CN103370453A ,2013-10-23

[3]

具有减少的凹坑缺陷的III-V半导体结构及其形成方法 [P].

C·菲盖 ;

E·林多 ;

P·托马西尼 .

中国专利 :CN108251890A ,2018-07-06

[4]

制造III-V族半导体装置的互连件的方法及III-V族半导体装置 [P].

张翼 ;

林岳钦 ;

蔡明谚 ;

张博盛 .

中国专利 :CN112563191A ,2021-03-26

[5]

制造III-V族半导体装置的互连件的方法及III-V族半导体装置 [P].

张翼 ;

林岳钦 ;

蔡明谚 ;

张博盛 .

中国专利 :CN112563191B ,2024-05-28

[6]

包括边缘终端结构的III-V半导体器件及其形成方法 [P].

B·贝克鲁特 .

中国专利 :CN110931546A ,2020-03-27

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN114628488A ,2022-06-14

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡连峰 .

中国专利 :CN112018241A ,2020-12-01

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡连峰 .

中国专利 :CN112018241B ,2024-12-06

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

潘世荣 ;

林纪光 .

中国专利 :CN119133082A ,2024-12-13

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