具有减少的凹坑缺陷的III-V半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810163850.1

申请日：

2012-02-17

公开(公告)号：

CN108251890A

公开(公告)日：

2018-07-06

发明(设计)人：

C·菲盖 E·林多 P·托马西尼

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2518 C30B2940

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;原宏宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-06	公开	公开
2018-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20120217

共 50 条

[1]

具有减少的凹坑缺陷的III-V半导体结构及其形成方法 [P].

C·菲盖 ;

E·林多 ;

P·托马西尼 .

中国专利 :CN103370453A ,2013-10-23

[2]

III-V族半导体结构及其形成方法 [P].

埃德·林多 ;

尚塔尔·艾尔纳 ;

R·贝尔特拉姆 ;

兰詹·达塔 ;

苏巴实·马哈詹 .

中国专利 :CN102822944B ,2012-12-12

[3]

包括边缘终端结构的III-V半导体器件及其形成方法 [P].

B·贝克鲁特 .

中国专利 :CN110931546A ,2020-03-27

[4]

具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 ;

林佑明 ;

幸仁·万 .

中国专利 :CN112242353A ,2021-01-19

[5]

具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 ;

林佑明 ;

幸仁·万 .

中国专利 :CN112242353B ,2025-05-09

[6]

具有多层III-V族异质结构的半导体结构 [P].

S·本特利 ;

R·加拉塔格 .

中国专利 :CN106449409B ,2017-02-22

[7]

形成III/V族半导体材料的方法及用该方法形成的半导体结构 [P].

克里斯托夫·菲盖 ;

P·托马斯尼 .

中国专利 :CN102683508A ,2012-09-19

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106298470A ,2017-01-04

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

林柏裕 ;

李威养 ;

林家彬 ;

邱子华 ;

郑宽豪 ;

范玮寒 ;

杨育佳 ;

吕惟皓 .

中国专利 :CN114864499A ,2022-08-05

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN106856167B ,2017-06-16

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