功率半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210112936.4

申请日：

2012-04-16

公开(公告)号：

CN102738238A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

金镇明吴世雄李在吉崔嵘澈张浩铁

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	授权	授权
2012-10-17	公开	公开
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581669716 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012101129364 申请日:20120416

共 50 条

[1]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410328A ,2024-01-16

[2]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117497581A ,2024-02-02

[3]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

林永发 ;

张家豪 ;

石逸群 .

中国专利 :CN103545369A ,2014-01-29

[4]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

胡振世 ;

张琳英 .

中国专利 :CN119384027A ,2025-01-28

[5]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230705A ,2017-10-03

[6]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

魏晓光 ;

唐新灵 ;

王亮 ;

林仲康 ;

代安琪 ;

石浩 ;

杜玉杰 ;

韩荣刚 ;

张红丹 .

中国专利 :CN118522706B ,2025-04-29

[7]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

石浩 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

吴沛飞 ;

焦倩倩 .

中国专利 :CN118522751A ,2024-08-20

[8]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

石浩 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

吴沛飞 ;

焦倩倩 .

中国专利 :CN118522751B ,2025-03-25

[9]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

罗志云 ;

潘梦瑜 ;

王飞 .

中国专利 :CN113113472A ,2021-07-13

[10]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

钟圣荣 ;

王根毅 ;

邓小社 ;

周宏伟 .

中国专利 :CN104347628B ,2015-02-11

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