功率半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410651682.6

申请日：

2024-05-24

公开(公告)号：

CN118522706B

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

魏晓光唐新灵王亮林仲康代安琪石浩杜玉杰韩荣刚张红丹

申请人：

北京怀柔实验室

申请人地址：

101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号

IPC主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/367 H10D18/00 H10D18/01 H10D64/60

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

鲁盛楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/373申请日:20240524
2025-04-29	授权	授权
2024-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

魏晓光 ;

唐新灵 ;

王亮 ;

林仲康 ;

代安琪 ;

石浩 ;

杜玉杰 ;

韩荣刚 ;

张红丹 .

中国专利 :CN118522706A ,2024-08-20

[2]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

林永发 ;

张家豪 ;

石逸群 .

中国专利 :CN103545369A ,2014-01-29

[3]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

胡振世 ;

张琳英 .

中国专利 :CN119384027A ,2025-01-28

[4]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230705A ,2017-10-03

[5]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

石浩 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

吴沛飞 ;

焦倩倩 .

中国专利 :CN118522751A ,2024-08-20

[6]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

石浩 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

吴沛飞 ;

焦倩倩 .

中国专利 :CN118522751B ,2025-03-25

[7]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

罗志云 ;

潘梦瑜 ;

王飞 .

中国专利 :CN113113472A ,2021-07-13

[8]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

金镇明 ;

吴世雄 ;

李在吉 ;

崔嵘澈 ;

张浩铁 .

中国专利 :CN102738238A ,2012-10-17

[9]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

钟圣荣 ;

王根毅 ;

邓小社 ;

周宏伟 .

中国专利 :CN104347628B ,2015-02-11

[10]

功率半导体器件制作方法及功率半导体器件 [P].

段雪 ;

洪求龙 ;

银军 ;

李明磊 ;

黄雒光 ;

张志国 ;

高永辉 ;

徐会博 .

中国专利 :CN110137092B ,2019-08-16

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