一种功率IGBT器件及制备方法

被引：0

申请号：

CN202211062214.2

申请日：

2022-08-31

公开(公告)号：

CN115377195A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

李泽宏黄龄萱杨洋赵一尚王彤阳刘小菡夏梓铭陈雨佳

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L21335

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220831
2022-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

刘道国 .

中国专利 :CN115497823A ,2022-12-20

[2]

一种IGBT功率器件制备方法和IGBT功率器件 [P].

卓宁泽 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN120614839A ,2025-09-09

[3]

一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

李豪 ;

张杰 .

中国专利 :CN118156130A ,2024-06-07

[4]

一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

李豪 ;

张杰 .

中国专利 :CN118156130B ,2025-03-14

[5]

一种集成GaN的IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

李进吉 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN117198876B ,2025-05-06

[6]

IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN120111912A ,2025-06-06

[7]

一种IGBT器件的制备方法及IGBT器件 [P].

刘倩 ;

祁金伟 .

中国专利 :CN116525435B ,2024-07-19

[8]

一种IGBT器件及智能功率模块 [P].

兰昊 .

中国专利 :CN112510036B ,2021-03-16

[9]

一种RC-IGBT器件的制备方法及RC-IGBT器件 [P].

李进吉 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN119630051A ,2025-03-14

[10]

IGBT器件结构及其制备方法 [P].

温世达 ;

陶少勇 ;

吕磊 ;

曹新明 .

中国专利 :CN110854186A ,2020-02-28

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