一种IGBT器件及智能功率模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011165931.9

申请日：

2020-10-27

公开(公告)号：

CN112510036B

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

兰昊

申请人：

申请人地址：

528311 广东省佛山市顺德区北滘镇工业大道美的全球创新中心4栋

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L29739 H01L2516

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

李庆波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20201027
2021-03-16	公开	公开
2023-01-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT器件及智能功率模块 [P].

兰昊 .

中国专利 :CN112510035A ,2021-03-16

[2]

一种IGBT器件及智能功率模块 [P].

兰昊 .

中国专利 :CN112510086B ,2021-03-16

[3]

一种IGBT器件及智能功率模块 [P].

兰昊 .

中国专利 :CN112510085B ,2021-03-16

[4]

一种逆导型IGBT器件及智能功率模块 [P].

冯宇翔 ;

周海佳 .

中国专利 :CN112750901A ,2021-05-04

[5]

功率器件和智能功率模块 [P].

胡爱斌 ;

黄国超 .

中国专利 :CN104596658B ,2015-05-06

[6]

一种功率IGBT器件及制备方法 [P].

李泽宏 ;

黄龄萱 ;

杨洋 ;

赵一尚 ;

王彤阳 ;

刘小菡 ;

夏梓铭 ;

陈雨佳 .

中国专利 :CN115377195A ,2022-11-22

[7]

智能功率模块的IGBT管驱动电路及智能功率模块 [P].

冯宇翔 .

中国专利 :CN203911737U ,2014-10-29

[8]

智能功率模块的IGBT管驱动电路及智能功率模块 [P].

冯宇翔 .

中国专利 :CN203911746U ,2014-10-29

[9]

一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

刘道国 .

中国专利 :CN115497823A ,2022-12-20

[10]

一种IGBT芯片及半导体功率模块 [P].

左义忠 .

中国专利 :CN110649093A ,2020-01-03

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