一种太阳电池选择性发射电极结构及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110074359.X
申请日
2011-03-18
公开(公告)号
CN102683477B
公开(公告)日
2012-09-19
发明(设计)人
黄国保
申请人
申请人地址
710043 陕西省西安市碑林区火炬路1号东新世纪广场1号楼10618室
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L310224
代理机构
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共 50 条
[1]
一种太阳电池正面电极结构及其制作方法 [P]. 
黄国保 .
中国专利 :CN102214729A ,2011-10-12
[2]
一种太阳电池背面电极结构及其制作方法 [P]. 
黄国保 .
中国专利 :CN102683478B ,2012-09-19
[3]
一种选择性发射极太阳电池及其制作方法 [P]. 
张金龙 ;
王菊霞 .
中国专利 :CN104465873A ,2015-03-25
[4]
一种选择性发射极太阳电池及其制作方法 [P]. 
陈东波 ;
刘强 ;
杨健 ;
陈如龙 ;
薛小兴 ;
张光春 .
中国专利 :CN102468364A ,2012-05-23
[5]
选择性接触的太阳电池前电极的制作方法 [P]. 
李中兰 .
中国专利 :CN102569528A ,2012-07-11
[6]
一种太阳电池电极结构、以及太阳电池串联方法 [P]. 
黄国保 .
中国专利 :CN102683437A ,2012-09-19
[7]
一种渐变结构的选择性发射极太阳电池及其制作方法 [P]. 
靳瑞芳 ;
张辉 ;
叶聪建 .
中国专利 :CN103489938A ,2014-01-01
[8]
一种HIT太阳电池电极及其制作方法 [P]. 
张鹤仙 ;
韩涵 .
中国专利 :CN103887348A ,2014-06-25
[9]
硅片太阳电池制作方法 [P]. 
陈娟娟 ;
陈钊 ;
李忠 ;
陈肖 ;
金昊 ;
陈嘉煜 ;
王瑞秀 ;
白玉凤 .
中国专利 :CN1694268A ,2005-11-09
[10]
晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺 [P]. 
穆汉 ;
朱敏杰 ;
马跃 .
中国专利 :CN101976707A ,2011-02-16