一种高写入速度低静态功耗抗单粒子翻转的SRAM单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410712195.2

申请日：

2014-11-27

公开(公告)号：

CN104392745A

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

张国和曾云霖段国栋

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

IPC主分类号：

G11C11413

IPC分类号：

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

陆万寿

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	公开	公开
2015-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101603709433 IPC(主分类):G11C 11/413 专利申请号:2014107121952 申请日:20141127
2017-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元 [P].

张国和 ;

曾云霖 .

中国专利 :CN104464795B ,2015-03-25

[2]

一种快速写入的抗单粒子翻转SRAM单元电路 [P].

张德明 ;

罗丁一 ;

张凯丽 ;

陈思宇 ;

郭志鹏 ;

宋明阳 ;

王佑 ;

邓尔雅 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN114758698A ,2022-07-15

[3]

一种快速写入的抗单粒子翻转SRAM单元电路 [P].

张德明 ;

罗丁一 ;

张凯丽 ;

陈思宇 ;

郭志鹏 ;

宋明阳 ;

王佑 ;

邓尔雅 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN114758698B ,2025-07-29

[4]

抗单粒子翻转的SRAM单元加固电路 [P].

刘红侠 ;

刘长俊 ;

王树龙 ;

陈树鹏 .

中国专利 :CN115148255A ,2022-10-04

[5]

一种低功耗抗单粒子翻转SRAM存储单元 [P].

程旭 ;

韩源源 ;

韩军 ;

曾晓洋 .

中国专利 :CN117854558A ,2024-04-09

[6]

一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元 [P].

胡少坚 .

中国专利 :CN102945682A ,2013-02-27

[7]

一种低静态功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器 [P].

杨霆 ;

齐春华 .

中国专利 :CN213303651U ,2021-05-28

[8]

一种抗单粒子翻转的SRAM [P].

张健 ;

赖晓玲 ;

周国昌 ;

巨艇 ;

王轩 .

中国专利 :CN106328195A ,2017-01-11

[9]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894A ,2022-07-05

[10]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894B ,2025-09-09

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