一种低功耗抗单粒子翻转SRAM存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410058745.7

申请日：

2024-01-15

公开(公告)号：

CN117854558A

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

程旭韩源源韩军曾晓洋

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

G11C11/417

IPC分类号：

G11C11/419

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-09	公开	公开
2024-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/417申请日:20240115

共 50 条

[1]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894B ,2025-09-09

[2]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894A ,2022-07-05

[3]

一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元 [P].

张国和 ;

姚思远 ;

李剑雄 ;

赵晨 ;

顾亦熹 .

中国专利 :CN102723109A ,2012-10-10

[4]

抗单粒子翻转的存储单元 [P].

郭靖 ;

朱磊 ;

董亮 ;

刘文怡 ;

熊继军 .

中国专利 :CN106847325A ,2017-06-13

[5]

一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元 [P].

齐春华 ;

张延清 ;

王天琦 ;

刘超铭 ;

马国亮 ;

霍明学 ;

肖立伊 .

中国专利 :CN109658962A ,2019-04-19

[6]

具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 [P].

杨海钢 ;

李天文 ;

蔡刚 .

中国专利 :CN106158010B ,2016-11-23

[7]

一种抗单粒子反转的SRAM存储单元电路及存储器 [P].

刘佳林 ;

任荣康 ;

李建成 ;

陆时进 ;

刘琳 ;

赵佳 ;

黄新壮 ;

刘晨静 ;

刘劭璠 .

中国专利 :CN118230787A ,2024-06-21

[8]

抗单粒子效应的SRAM存储单元 [P].

周昕杰 ;

于宗光 ;

罗静 ;

王栋 ;

徐睿 ;

汤赛楠 .

中国专利 :CN104978995A ,2015-10-14

[9]

抗单粒子翻转的SRAM单元加固电路 [P].

刘红侠 ;

刘长俊 ;

王树龙 ;

陈树鹏 .

中国专利 :CN115148255A ,2022-10-04

[10]

一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元 [P].

张国和 ;

曾云霖 .

中国专利 :CN104464795B ,2015-03-25

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