抗单粒子效应的SRAM存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510316145.7

申请日：

2015-06-10

公开(公告)号：

CN104978995A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

周昕杰于宗光罗静王栋徐睿汤赛楠

申请人：

申请人地址：

214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

IPC主分类号：

G11C11413

IPC分类号：

代理机构：

总装工程兵科研一所专利服务中心 32002

代理人：

杨立秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633317028 IPC(主分类):G11C 11/413 专利申请号:2015103161457 申请日:20150610
2015-10-14	公开	公开
2018-12-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C 11/413 申请公布日:20151014

共 50 条

[1]

一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元 [P].

张国和 ;

姚思远 ;

李剑雄 ;

赵晨 ;

顾亦熹 .

中国专利 :CN102723109A ,2012-10-10

[2]

具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 [P].

杨海钢 ;

李天文 ;

蔡刚 .

中国专利 :CN106158010B ,2016-11-23

[3]

抗单粒子翻转的存储单元 [P].

郭靖 ;

朱磊 ;

董亮 ;

刘文怡 ;

熊继军 .

中国专利 :CN106847325A ,2017-06-13

[4]

一种低功耗抗单粒子翻转SRAM存储单元 [P].

程旭 ;

韩源源 ;

韩军 ;

曾晓洋 .

中国专利 :CN117854558A ,2024-04-09

[5]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894A ,2022-07-05

[6]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894B ,2025-09-09

[7]

一种抗单粒子反转的SRAM存储单元电路及存储器 [P].

刘佳林 ;

任荣康 ;

李建成 ;

陆时进 ;

刘琳 ;

赵佳 ;

黄新壮 ;

刘晨静 ;

刘劭璠 .

中国专利 :CN118230787A ,2024-06-21

[8]

一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元 [P].

齐春华 ;

张延清 ;

王天琦 ;

刘超铭 ;

马国亮 ;

霍明学 ;

肖立伊 .

中国专利 :CN109658962A ,2019-04-19

[9]

抗多节点翻转SRAM的存储单元 [P].

程旭 ;

韩源源 ;

韩军 ;

曾晓洋 .

中国专利 :CN112634956A ,2021-04-09

[10]

抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元 [P].

祁勇 ;

刘祥远 ;

傅祎晖 .

中国专利 :CN120811328B ,2025-12-23

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