一种抗单粒子反转的SRAM存储单元电路及存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311435134.1

申请日：

2023-10-31

公开(公告)号：

CN118230787A

公开(公告)日：

2024-06-21

发明(设计)人：

刘佳林任荣康李建成陆时进刘琳赵佳黄新壮刘晨静刘劭璠

申请人：

北京微电子技术研究所北京时代民芯科技有限公司

申请人地址：

100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号

IPC主分类号：

G11C11/417

IPC分类号：

G11C11/418 G11C11/419 G11C11/412

代理机构：

中国航天科技专利中心 11009

代理人：

茹阿昌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/417申请日:20231031
2024-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894A ,2022-07-05

[2]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894B ,2025-09-09

[3]

具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 [P].

杨海钢 ;

李天文 ;

蔡刚 .

中国专利 :CN106158010B ,2016-11-23

[4]

一种低功耗抗单粒子翻转SRAM存储单元 [P].

程旭 ;

韩源源 ;

韩军 ;

曾晓洋 .

中国专利 :CN117854558A ,2024-04-09

[5]

一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元 [P].

齐春华 ;

张延清 ;

王天琦 ;

刘超铭 ;

马国亮 ;

霍明学 ;

肖立伊 .

中国专利 :CN109658962A ,2019-04-19

[6]

一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元 [P].

张国和 ;

姚思远 ;

李剑雄 ;

赵晨 ;

顾亦熹 .

中国专利 :CN102723109A ,2012-10-10

[7]

抗单粒子效应的SRAM存储单元 [P].

周昕杰 ;

于宗光 ;

罗静 ;

王栋 ;

徐睿 ;

汤赛楠 .

中国专利 :CN104978995A ,2015-10-14

[8]

抗单粒子翻转的存储单元 [P].

郭靖 ;

朱磊 ;

董亮 ;

刘文怡 ;

熊继军 .

中国专利 :CN106847325A ,2017-06-13

[9]

一种SRAM存储单元、存储器及SRAM存储单元的读写方法 [P].

李博 ;

苏泽鑫 ;

宿晓慧 ;

刘凡宇 ;

杨灿 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112992224B ,2021-06-18

[10]

抗单粒子反转的差分10管存储单元 [P].

温亮 ;

文海波 ;

周可基 ;

程旭 ;

曾晓洋 .

中国专利 :CN104409093A ,2015-03-11

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