一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210222441.7

申请日：

2012-06-29

公开(公告)号：

CN102723109A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

张国和姚思远李剑雄赵晨顾亦熹

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

G11C11413

IPC分类号：

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

徐文权

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	授权	授权
2012-10-10	公开	公开
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101359121319 IPC(主分类):G11C 11/413 专利申请号:2012102224417 申请日:20120629

共 50 条

[1]

抗单粒子效应的SRAM存储单元 [P].

周昕杰 ;

于宗光 ;

罗静 ;

王栋 ;

徐睿 ;

汤赛楠 .

中国专利 :CN104978995A ,2015-10-14

[2]

一种低功耗抗单粒子翻转SRAM存储单元 [P].

程旭 ;

韩源源 ;

韩军 ;

曾晓洋 .

中国专利 :CN117854558A ,2024-04-09

[3]

抗单粒子翻转的存储单元 [P].

郭靖 ;

朱磊 ;

董亮 ;

刘文怡 ;

熊继军 .

中国专利 :CN106847325A ,2017-06-13

[4]

一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元 [P].

齐春华 ;

张延清 ;

王天琦 ;

刘超铭 ;

马国亮 ;

霍明学 ;

肖立伊 .

中国专利 :CN109658962A ,2019-04-19

[5]

具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 [P].

杨海钢 ;

李天文 ;

蔡刚 .

中国专利 :CN106158010B ,2016-11-23

[6]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894A ,2022-07-05

[7]

抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器 [P].

秦家军 ;

常泽光 ;

赵雷 ;

安琪 .

中国专利 :CN114708894B ,2025-09-09

[8]

抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元 [P].

祁勇 ;

刘祥远 ;

傅祎晖 .

中国专利 :CN120811328B ,2025-12-23

[9]

抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元 [P].

祁勇 ;

刘祥远 ;

傅祎晖 .

中国专利 :CN120811328A ,2025-10-17

[10]

一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元 [P].

张国和 ;

曾云霖 .

中国专利 :CN104464795B ,2015-03-25

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