离子传感器以及定量法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580007685.5

申请日：

2015-02-04

公开(公告)号：

CN105980845B

公开(公告)日：

2016-09-28

发明(设计)人：

盛满正嗣

申请人：

申请人地址：

日本国京都府

IPC主分类号：

G01N27416

IPC分类号：

G01N2730

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

葛凡

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-06	授权	授权
2016-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101684680721 IPC(主分类):G01N 27/416 专利申请号:2015800076855 申请日:20150204
2016-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置 [P].

竹知和重 ;

芳贺浩史 ;

岩松新之辅 ;

小林诚也 ;

阿部泰 ;

矢作彻 .

中国专利 :CN104950023B ,2015-09-30

[2]

离子传感器、离子传感器模块及离子传感器的制造方法 [P].

樱冈正幸 ;

铃木园江 ;

大沼武彦 ;

田村惠美子 .

中国专利 :CN101196528A ,2008-06-11

[3]

离子传感器 [P].

福岛孝典 ;

石割文崇 ;

长谷部花子 ;

染谷隆夫 ;

关谷毅 .

中国专利 :CN105473627A ,2016-04-06

[4]

离子传感器 [P].

朱建峰 ;

刘纬缜 .

中国专利 :CN208579978U ,2019-03-05

[5]

传感器元件、气体传感器以及传感器元件的制造方法 [P].

伊藤和真 ;

南谷和加子 .

日本专利 :CN120202407A ,2025-06-24

[6]

离子传感器的制造方法以及离子传感器用电极体 [P].

竹内孝宪 .

中国专利 :CN115698693A ,2023-02-03

[7]

离子传感器的制造方法以及离子传感器用电极体 [P].

竹内孝宪 .

日本专利 :CN115698693B ,2025-07-29

[8]

传感器元件、传感器器件以及电子设备 [P].

市川史生 .

中国专利 :CN103292797A ,2013-09-11

[9]

传感器以及具备传感器的显示装置 [P].

稻垣嘉纪 .

中国专利 :CN206339953U ,2017-07-18

[10]

半导体钙离子传感器 [P].

付庭治 ;

黄德培 ;

朱春生 .

中国专利 :CN85201229U ,1986-02-12

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