硅单晶生长装置及使用该装置的硅单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580041826.5

申请日：

2015-07-10

公开(公告)号：

CN106574392A

公开(公告)日：

2017-04-19

发明(设计)人：

金度延崔日洙安润河

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张佳鑫;沙永生

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	公开	公开
2019-03-29	授权	授权
2017-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101719987964 IPC(主分类):C30B 15/20 专利申请号:2015800418265 申请日:20150710
2019-02-26	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 15/20 变更事项:申请人变更前:LG矽得荣株式会社变更后:爱思开矽得荣株式会社变更事项:地址变更前:韩国庆尚北道变更后:韩国庆尚北道

共 50 条

[1]

硅单晶的生长装置 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101831695B ,2010-09-15

[2]

硅单晶的生长方法 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101831696B ,2010-09-15

[3]

硅单晶的生长方法 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101831697B ,2010-09-15

[4]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P].

王海涛 ;

乔帅帅 .

中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29

[5]

单晶生长装置及使用该装置的单晶生长方法 [P].

星亮二 ;

镰田洋之 .

中国专利 :CN106574395A ,2017-04-19

[6]

硅单晶生长方法以及设备 [P].

姜钟珉 ;

崔日洙 .

中国专利 :CN111615568B ,2020-09-01

[7]

双加热系统硅单晶生长装置 [P].

刘天贵 ;

马青 ;

李春雷 ;

高熙礼 .

中国专利 :CN201485535U ,2010-05-26

[8]

硅单晶生长炉 [P].

蔡光进 ;

韩喆 ;

李国迪 ;

蒋明霞 .

中国专利 :CN201981289U ,2011-09-21

[9]

硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN1782143A ,2006-06-07

[10]

一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的生长方法 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN111748844A ,2020-10-09

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