硅单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010166765.4

申请日：

2005-11-23

公开(公告)号：

CN101831696B

公开(公告)日：

2010-09-15

发明(设计)人：

赵铉鼎

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

禇海英;武玉琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101012514889 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2010101667654 申请日:20051123
2012-11-28	授权	授权
2010-09-15	公开	公开

共 50 条

[1]

硅单晶的生长方法 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101831697B ,2010-09-15

[2]

硅单晶生长装置及使用该装置的硅单晶生长方法 [P].

金度延 ;

崔日洙 ;

安润河 .

中国专利 :CN106574392A ,2017-04-19

[3]

硅单晶生长方法以及设备 [P].

姜钟珉 ;

崔日洙 .

中国专利 :CN111615568B ,2020-09-01

[4]

一种硅单晶的生长方法 [P].

王刚 ;

沈伟民 ;

黄瀚艺 ;

陈伟德 .

中国专利 :CN110629283A ,2019-12-31

[5]

一种硅单晶的生长方法 [P].

高欣 ;

周磊峰 ;

张新峰 .

中国专利 :CN118497882A ,2024-08-16

[6]

碳化硅单晶的生长方法 [P].

刘东峰 ;

郑向光 ;

田越 ;

杨昆 ;

刘新辉 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 ;

陈飒 ;

刘谦 ;

闫猛 ;

李扬 .

中国专利 :CN118064966A ,2024-05-24

[7]

硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN1782143A ,2006-06-07

[8]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P].

王海涛 ;

乔帅帅 .

中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29

[9]

硅单晶的生长装置 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101831695B ,2010-09-15

[10]

碳化硅单晶生长方法及裂纹闭合生长方法 [P].

王明华 ;

朱鑫煌 ;

蒋琳 ;

张振远 .

中国专利 :CN114262936A ,2022-04-01

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