一种硅单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910899811.2

申请日：

2019-09-23

公开(公告)号：

CN110629283A

公开(公告)日：

2019-12-31

发明(设计)人：

王刚沈伟民黄瀚艺陈伟德

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

李晴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20190923
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 15/20 申请公布日:20191231
2019-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

硅单晶的生长方法 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101831697B ,2010-09-15

[2]

硅单晶的生长方法 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101831696B ,2010-09-15

[3]

一种硅单晶的生长方法 [P].

高欣 ;

周磊峰 ;

张新峰 .

中国专利 :CN118497882A ,2024-08-16

[4]

硅单晶生长装置及使用该装置的硅单晶生长方法 [P].

金度延 ;

崔日洙 ;

安润河 .

中国专利 :CN106574392A ,2017-04-19

[5]

硅单晶生长方法以及设备 [P].

姜钟珉 ;

崔日洙 .

中国专利 :CN111615568B ,2020-09-01

[6]

一种大尺寸直拉硅单晶生长方法 [P].

王文庆 .

中国专利 :CN106319621A ,2017-01-11

[7]

带晶种升降单元的铸造硅单晶炉及硅单晶生长方法 [P].

田达晰 .

中国专利 :CN110777425A ,2020-02-11

[8]

硅单晶提拉设备与生长方法 [P].

李秦霖 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105887186B ,2016-08-24

[9]

一种P型掺镓硅单晶的生长方法 [P].

吕国强 ;

李太 ;

赵亮 ;

马文会 ;

李绍元 ;

张梦宇 ;

黄振玲 .

中国专利 :CN114592236B ,2024-01-05

[10]

一种生长硅单晶的方法 [P].

杨德仁 ;

李立本 ;

马向阳 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1422990A ,2003-06-11

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