一种钽酸锂晶体基片加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710880538.X

申请日：

2017-09-26

公开(公告)号：

CN107665813B

公开(公告)日：

2018-02-06

发明(设计)人：

沈浩顾鑫怡徐秋峰归欢焕丁孙杰

申请人：

申请人地址：

314412 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C09G102

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100

代理人：

王丽丹;吴关炳

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	公开	公开
2019-01-29	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:发明人变更前:沈浩顾潇威凡勇变更后:沈浩顾鑫怡徐秋峰归欢焕丁孙杰
2020-02-21	授权	授权
2018-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170926

共 50 条

[1]

一种钽酸锂晶体基片黑化方法 [P].

沈浩 ;

顾潇威 ;

凡勇 .

中国专利 :CN108060459A ,2018-05-22

[2]

钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 [P].

赵广军 ;

万育仁 ;

杨胜裕 ;

姚诗凯 .

中国专利 :CN105463581B ,2016-04-06

[3]

一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 [P].

陈铭欣 ;

刘明章 ;

林飞 ;

吴柯宏 .

中国专利 :CN106521633B ,2017-03-22

[4]

一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法 [P].

姚志炎 ;

沈浩 ;

归欢焕 ;

朱海瀛 ;

顾潇威 .

中国专利 :CN106048735B ,2016-10-26

[5]

一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置 [P].

赵广军 ;

顾平 ;

徐新华 .

中国专利 :CN208455113U ,2019-02-01

[6]

钽酸锂晶体的制造装置和钽酸锂晶体的制造方法 [P].

干川圭吾 ;

小林拓实 ;

大叶悦子 .

中国专利 :CN107858753A ,2018-03-30

[7]

钽酸锂晶体的制造方法 [P].

盐野嘉幸 .

中国专利 :CN100424235C ,2006-03-29

[8]

一种钽酸锂晶体的制备方法 [P].

王彪 ;

朱允中 ;

马德才 .

中国专利 :CN104163454A ,2014-11-26

[9]

一种钽酸锂晶体头尾切割方法 [P].

徐秋峰 ;

张忠伟 ;

沈浩 ;

钱煜 ;

张伟明 ;

汪万盾 ;

张坚 .

中国专利 :CN114311350A ,2022-04-12

[10]

一种钽酸锂晶体研磨装置 [P].

马立强 ;

闫志祥 ;

张世平 ;

马丹阳 ;

侯法正 .

中国专利 :CN213795935U ,2021-07-27

← 1 2 3 4 5 →