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一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910399746.7
申请日
:
2019-05-14
公开(公告)号
:
CN110137075A
公开(公告)日
:
2019-08-16
发明(设计)人
:
吴云
曹正义
申请人
:
申请人地址
:
210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室
IPC主分类号
:
H01L2104
IPC分类号
:
代理机构
:
南京理工大学专利中心 32203
代理人
:
陈鹏
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-11
授权
授权
2019-08-16
公开
公开
2019-12-24
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/04 申请日:20190514
共 50 条
[1]
自对准石墨烯晶体管
[P].
林佑民
论文数:
0
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0
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林佑民
;
K.A.詹金斯
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K.A.詹金斯
;
A.瓦尔德斯加西亚
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A.瓦尔德斯加西亚
.
中国专利
:CN102612751B
,2012-07-25
[2]
石墨烯晶体管和制造石墨烯晶体管的方法
[P].
托马斯·詹姆士·巴德科克
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托马斯·詹姆士·巴德科克
;
罗伯特·沃利斯
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罗伯特·沃利斯
;
艾弗·吉尼
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艾弗·吉尼
;
西蒙·托马斯
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西蒙·托马斯
.
中国专利
:CN114284349A
,2022-04-05
[3]
晶体管的离子注入方法和晶体管
[P].
马万里
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马万里
;
高振杰
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高振杰
.
中国专利
:CN107134409B
,2017-09-05
[4]
一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法
[P].
李佳
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0
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李佳
;
冯志红
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冯志红
;
蔚翠
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蔚翠
;
刘庆彬
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刘庆彬
;
何泽召
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何泽召
;
王晶晶
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王晶晶
.
中国专利
:CN103295912A
,2013-09-11
[5]
自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法
[P].
D·B·法默
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D·B·法默
;
A·D·富兰克林
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A·D·富兰克林
;
J·T·史密斯
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J·T·史密斯
.
中国专利
:CN103855218B
,2014-06-11
[6]
石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法
[P].
李昌承
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李昌承
;
李周浩
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李周浩
;
金容诚
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金容诚
;
文彰烈
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文彰烈
.
中国专利
:CN103227103A
,2013-07-31
[7]
自对准石墨烯/黑磷晶体管结构的制备方法
[P].
李平
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李平
;
王刚
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王刚
;
张庆伟
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张庆伟
;
陈远富
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陈远富
;
宋林财
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宋林财
.
中国专利
:CN105428417A
,2016-03-23
[8]
石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法
[P].
郑现钟
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0
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郑现钟
;
郑佑仁
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郑佑仁
;
金奇南
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金奇南
.
中国专利
:CN103094346B
,2013-05-08
[9]
制造石墨烯晶体管和装置的方法
[P].
西蒙·托马斯
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西蒙·托马斯
;
伊沃尔·吉尼
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伊沃尔·吉尼
.
中国专利
:CN111587222A
,2020-08-25
[10]
基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法
[P].
李佳
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李佳
;
冯志红
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冯志红
;
蔚翠
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蔚翠
;
刘庆彬
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刘庆彬
.
中国专利
:CN103903987B
,2014-07-02
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