抗干扰性能强的单向可控硅结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201020240907.2
申请日
2010-06-28
公开(公告)号
CN201708156U
公开(公告)日
2011-01-12
发明(设计)人
耿开远 周健 朱法扬
申请人
申请人地址
226224 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号
IPC主分类号
H01L2974
IPC分类号
H01L23552
代理机构
南京众联专利代理有限公司 32206
代理人
卢海洋
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种抗干扰性能强的单向可控硅试验用变压焊渡机 [P]. 
陈煌 .
中国专利 :CN220897082U ,2024-05-03
[2]
抗干扰性能强的硅麦克风 [P]. 
王显彬 .
中国专利 :CN2814863Y ,2006-09-06
[3]
一种抗干扰性能强的硅麦 [P]. 
杨雪香 ;
李雪凤 .
中国专利 :CN215187374U ,2021-12-14
[4]
抗干扰性能强的硅麦克风 [P]. 
王显彬 .
中国专利 :CN1886007A ,2006-12-27
[5]
单向可控硅器件 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN213278076U ,2021-05-25
[6]
一种抗干扰性能强的硅麦克风 [P]. 
孔豪 ;
陈庆松 .
中国专利 :CN222053369U ,2024-11-22
[7]
一种抗干扰性能强的电容 [P]. 
汤小荣 .
中国专利 :CN222338081U ,2025-01-10
[8]
一种抗干扰性能强的物位计 [P]. 
曹景丽 .
中国专利 :CN223710755U ,2025-12-23
[9]
抗干扰性能强的无线数字地面收发设备 [P]. 
胡名军 ;
袁名锋 .
中国专利 :CN216905135U ,2022-07-05
[10]
单向可控硅极性识别设备 [P]. 
喻波 ;
李号召 ;
吴晓鸣 ;
盛军 ;
韦双 .
中国专利 :CN204228844U ,2015-03-25