选择性转移半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380077951.2

申请日：

2013-07-29

公开(公告)号：

CN105359282B

公开(公告)日：

2016-02-24

发明(设计)人：

吕志强林俊宇陈怡名林敬倍简崇训黄建富顾浩民谢明勋徐子杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101651550039 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013800779512 申请日:20130729
2016-02-24	公开	公开
2018-01-16	授权	授权

共 50 条

[1]

选择性应力记忆作用的半导体元件及其制造方法 [P].

王美匀 ;

薛正诚 ;

翁武安 .

中国专利 :CN101217145A ,2008-07-09

[2]

半导体衬底及选择性生长半导体的方法 [P].

王安琦 ;

程志渊 ;

陈韬 .

中国专利 :CN105140267A ,2015-12-09

[3]

一种选择性转移半导体器件的基板 [P].

陈亮 ;

马非凡 ;

王江波 .

中国专利 :CN209374476U ,2019-09-10

[4]

制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法 [P].

蔡彰祜 .

中国专利 :CN1897229A ,2007-01-17

[5]

半导体元件的图案转移的方法 [P].

洪齐元 ;

吴义镳 .

中国专利 :CN100383667C ,2003-08-20

[6]

一种选择性转移半导体器件的方法和基板 [P].

陈亮 ;

马非凡 ;

王江波 .

中国专利 :CN109585617B ,2024-05-07

[7]

一种选择性转移半导体器件的方法和基板 [P].

陈亮 ;

马非凡 ;

王江波 .

中国专利 :CN109585617A ,2019-04-05

[8]

分立元件的选择性激光辅助的转移 [P].

瓦尔·马里诺夫 ;

奥尔文·斯温森 ;

马克·帕维契奇 ;

罗斯·米勒 ;

陈之刚 ;

费尔杜斯·萨瓦尔 ;

马修·塞姆勒 .

中国专利 :CN103597589A ,2014-02-19

[9]

半导体材料的选择性精确蚀刻 [P].

南森·马塞尔怀特 ;

朱济 ;

杰罗姆·米歇尔·多米尼克·美莱特 ;

大卫·穆伊 ;

马克·直司·川口 ;

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN115668463A ,2023-01-31

[10]

半导体薄膜的选择性外延形成 [P].

M·鲍尔 ;

K·D·韦克斯 .

中国专利 :CN101454874B ,2009-06-10

← 1 2 3 4 5 →